此前有报道称，台积电（TSMC）将为中国台湾新竹科技园的2nm晶圆厂安装设备，计划2024年4月开始执行，这预示着N2工艺项目的重大进展。这里毗邻台积电负责N2工艺开发的R1研发中心，显然也是为了方便试产的工作。近期台积电也再次强调，下一代2nm制程节点会在2025年实现量产，将为旗下半导体工艺首次引入Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管技术。

据ctee报道，台积电第二间2nm晶圆厂位于中国台湾高雄科技园，可能提前完成准备工作。其一期工程的生产线计划于2025年开始进入量产阶段，这比预期的2026年要更早一些，与新竹科技园的2nm晶圆厂时间上很接近。有消息称，二期工程也已获得了所有必要的许可。

由于台积电通常不会同时间部署两间采用先进工艺的新建晶圆厂，所以对该项目的进度情况应该要有所保留。此外，还有两个大问题需要考虑：首先，台积电最近几个季度对资本支出的增加持谨慎态度，不太可能提前投资完成配套准备工作；另外即便真的安装好了生产设备，考虑到2nm工艺昂贵的报价，不一定有足够客户的订单来支撑。

如果说台积电有这么动力尽早提升2nm工艺的产能，大概只有一个原因：来自三星和英特尔的代工服务竞争加剧，并确保能够为所有愿意为最新半导体技术支付溢价的大客户提供服务。显然这样的客户并不多，可以说是屈指可数。