智通财经APP获悉，韩国半导体巨头三星电子(SSNLF.US)周二表示，已开发出业界迄今为止容量最大的新型高带宽存储芯片(HBM)。三星电子表示，最新的HBM3E 12H产品将HBM3E DRAM芯片堆叠至12层，是迄今为止容量最大的HBM产品。据悉，HBM3E 12H支持全天候最高带宽达1280GB/s，产品容量也达到了36GB;相比三星电子8层堆叠的HBM3 8H，HBM3E 12H在带宽和容量上大幅提升超过50%。

三星电子存储器产品企划团队执行副总裁Yongcheol Bae表示：“业界对容量更大的HBM的要求越来越高，HBM3E 12H正是为了满足这一需求而设计的。”“这是开发多层堆叠HBM核心技术的一项举措，三星电子将引领人工智能时代的大容量HBM市场。”

三星电子方面表示，HBM3E 12H采用了先进的热压非导电薄膜(TC NCF)技术，使得12层和8层堆叠产品的高度保持一致，以满足当前HBM封装的要求。其结果是，在不增加其物理占用空间的情况下，这款产品拥有更强的处理能力。

随着生成式人工智能的繁荣，HBM愈发受欢迎，因为它们在驱动生成式人工智能系统方面发挥了重要作用，使生成式人工智能模型能够更好地储存过去的对话细节和用户偏好。在人工智能应用呈指数级增长的情况下，HBM3E 12H有望成为未来需要更多内存的系统的最佳解决方案，其更高的性能和容量将使客户能够更灵活地管理资源，并降低数据中心的总成本。

三星电子表示，已经开始向客户提供HBM3E 12H的样品，并计划在今年上半年批量生产该产品。有报道称，去年9月，三星电子与英伟达(NVDA.US)达成了一项协议，将为后者提供HBM。

大和证券执行董事SK Kim表示：“我认为这一消息将对三星电子的股价产生积极影响，该产品将帮助三星电子夺得领先地位。”去年，三星电子在HBM3方面落后于SK海力士，之前英伟达的HBM也都是由SK海力士独家供应的。如今，三星电子欲通过其最新产品赢得竞争。此外，美光科技近日宣布开始量产24GB 8L HBM3E，并将应用于英伟达H200 Tensor Core GPU。